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 Demonstration of High Endurance Capability on Mega-Bit RRAM Macro and Model of ppm Level Failures 兆比特RRAM宏的高耐久性演示和ppm级故障模型
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Chang-Feng Yang; Chun‐Yu Wu; Meng-Chun Shih; Ming‐Ta Yang; Ming-Han Yang; et al 出版日期：2022-06-12 |
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