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 Sub-5 nm Gate-All-Around InP Nanowire Transistors toward High-Performance Devices 面向高性能器件的亚5 nm全栅InP纳米线晶体管
相关领域
材料科学
纳米线
光电子学
磷化铟
晶体管
场效应晶体管
纳米技术
砷化镓
电气工程
电压
工程类
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Linqiang Xu; Ling Xu; Qiuhui Li; Shibo Fang; 英根 李; et al 出版日期：2023-12-28 |
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