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High Performance Schottky Barrier TFTs With Indium–Gallium–Zinc-Oxide/Mo Schottky Junction
铟镓锌氧化物/Mo肖特基结的高性能肖特基势垒薄膜晶体管
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肖特基势垒
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Chen Wang; Chaofan Zeng; Wenmo Lu; Haiyue Ning; Fengnan Li; et al 出版日期:2023-04-01 |
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