| 标题 |
 Study on H plasma treatment enhanced p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT with block layer* 相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
等离子体
氢
微电子
击穿电压
泄漏（经济）
阈值电压
图层（电子）
晶体管
电压
纳米技术
电气工程
化学
有机化学
经济
宏观经济学
工程类
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Chinese Physics 作者：None 黄兴杰; None 邢艳辉; None 于国浩; None 宋亮; None RongHuang; et al 出版日期：2022-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
爱静静
Singularity
HEIKU
kento
Hayat
shinysparrow
不配.
云瑾
curtisness
Henry
琉璃苣
zzzyyy
元谷雪
rosalieshi
一一
浅尝离白
徐叽钰
zyfqpc
8R60d8
我不是BOB
皖公网安备34019202002308
