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 Investigation on the threshold voltage instability mechanism of p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs under high-temperature reverse bias stress 高温反向偏压下p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs阈值电压失稳机制研究
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaohu Wang; Xuefeng Zheng; Baocai Wang; Yingzhe Wang; Shaozhong Yue; et al 出版日期：2023-02-27 |
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