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标题
Analytical Markov Model to Calculate TDDB at Any Voltage and Temperature Stress Condition
计算任意电压和温度应力条件下TDDB的解析马尔可夫模型
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿 渗透（认知心理学） 压力（语言学） 击穿电压 氧化物 材料科学 电压 介电强度 电子工程 数学 栅氧化层 电气工程 工程类 冶金 语言学 生物 哲学 神经科学 晶体管
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/16/10328902/10304567.pdf...
DOI
10.1109/ted.2023.3326430 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Andrea Vici; Robin Degraeve; Jacopo Franco; Ben Kaczer; Philippe J. Roussel; Ingrid De Wolf
出版日期：2023-11-02
求助人
可靠豌豆 在 2025-03-14 21:52:09 发布自广东，悬赏 10 积分
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