Demonstration of Wide Bandgap AlGaN/GaN Negative‐Capacitance High‐Electron‐Mobility Transistors (NC‐HEMTs) Using Barium Titanate Ferroelectric Gates

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标题	Demonstration of Wide Bandgap AlGaN/GaN Negative‐Capacitance High‐Electron‐Mobility Transistors (NC‐HEMTs) Using Barium Titanate Ferroelectric Gates 钛酸钡铁电栅极宽带隙AlGaN/GaN负电容高电子迁移率晶体管的演示相关领域材料科学光电子学铁电性负阻抗变换器阈下斜率电介质晶体管电容栅极电介质磁滞高电子迁移率晶体管场效应晶体管凝聚态物理电气工程电压电极化学物理化学电压源工程类物理
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202000074
DOI	10.1002/aelm.202000074 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Hareesh Chandrasekar; Towhidur Razzak; Caiyu Wang; Zeltzin Reyes; Kausik Majumdar; et al 出版日期：2020-07-12
求助人	夕风残照在 2024-11-02 10:15:57 发布自北京，悬赏 10 积分
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