Optimizing interface properties of HfO2/Si0.73Ge0.27 gate stacks through sulfur passivation and post-deposition annealing

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标题	Optimizing interface properties of HfO2/Si0.73Ge0.27 gate stacks through sulfur passivation and post-deposition annealing 通过硫钝化和沉积后退火优化HfO2/Si0.73Ge0.27栅极堆叠的界面性能相关领域钝化退火（玻璃）硫黄材料科学原子层沉积光电子学沉积（地质）形成气体纳米技术化学工程薄膜冶金图层（电子）工程类古生物学生物沉积物
网址	https://doi.org/10.1063/5.0195430 AI链接 aip.orgdoi.org
DOI	10.1063/5.0195430 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Zhengyang Chen; Zhangsheng Lan; Yiran Lin; Tomonori Nishimura; Choonghyun Lee; et al 出版日期：2024-03-27
求助人	Yuksn 在 2024-10-31 13:09:24 发布自福建，悬赏 10 积分
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