Activation Energy and Bipolar Switching Properties for the Co-Sputtering of ITOX:SiO2 Thin Films on Resistive Random Access Memory Devices

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标题	Activation Energy and Bipolar Switching Properties for the Co-Sputtering of ITOX:SiO2 Thin Films on Resistive Random Access Memory Devices 电阻随机存储器件上共溅射ITOX：SiO2薄膜的激活能和双极开关特性相关领域电阻随机存取存储器材料科学锡光电子学薄膜溅射非易失性存储器热传导电极欧姆接触基质（水族馆）纳米技术图层（电子）复合材料冶金化学海洋学物理化学地质学
网址	https://www.mdpi.com/2079-4991/13/15/2179/pdf?version=169036...
DOI	10.3390/nano13152179 doi
其它	期刊：Nanomaterials 作者：Kai-Huang Chen; Chien-Min Cheng; Na-Fu Wang; Ming‐Cheng Kao 出版日期：2023-07-26
求助人	vivi 在 2025-02-22 17:19:30 发布自陕西，悬赏 10 积分
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