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 Gate-Modulated Temperature-Dependent NO2 Gas Responsivity of h-BN Bottom-Gated MoS2 Field-Effect Transistor h-BN底栅MoS2场效应晶体管的栅极调制温度相关NO2气体响应
相关领域
响应度
材料科学
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场效应晶体管
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物理
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：D.H. Kim; Dong Hyeon Kim; Hyeran Cho; Yeonsu Kim; Chan Sol Mun; et al 出版日期：2024-12-30 |
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