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 High-temperature carrier density and mobility enhancements in AlGaN/GaN HEMT using AlN spacer layer 使用AlN间隔层提高AlGaN/GaN HEMT的高温载流子密度和迁移率
相关领域
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材料科学
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Tsung‐Shine Ko; Der-Yuh Lin; Chia-Feng Lin; Che-Wei Chang; Jin-Cheng Zhang; et al 出版日期：2016-12-07 |
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