标题 |
Field enhanced diffusion of nitrogen and boron in 4H–silicon carbide
氮和硼在4H-碳化硅中的场增强扩散
相关领域
掺杂剂
退火(玻璃)
碳化硅
材料科学
热扩散率
离子键合
硼
兴奋剂
硅
扩散
分析化学(期刊)
宽禁带半导体
氮气
离子
化学
光电子学
冶金
热力学
物理
有机化学
色谱法
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Applied Physics 作者:G. J. Phelps; E.G. Chester; C. Mark Johnson; Nicolas G. Wright 出版日期:2003-09-18 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|