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玺白白
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2024-11-16 加入
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Back‐End‐of‐Line SiC‐Based Memristor for Resistive Memory and Artificial Synapse (Adv. Electron. Mater. 9/2022)
1天前
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Wide-bandgap semiconductor SiC-based memristors fabricated entirely by electron beam evaporation for artificial synapses
3天前
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7小时前
这个只有封面那一页
23小时前
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Back‐End‐of‐Line SiC‐Based Memristor for Resistive Memory and Artificial Synapse (Adv. Electron. Mater. 9/2022)
Wide-bandgap semiconductor SiC-based memristors fabricated entirely by electron beam evaporation for artificial synapses
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