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 Junction-Structure-Dependent Schottky Barrier Inhomogeneity and Device Ideality of Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors 单层MoS2场效应晶体管结结构相关的肖特基势垒不均匀性和器件理想性
相关领域
单层
肖特基势垒
材料科学
热离子发射
凝聚态物理
工作职能
杂质
GSM演进的增强数据速率
场效应晶体管
肖特基二极管
晶界
晶体管
金属
光电子学
纳米技术
电压
微观结构
电气工程
电子
化学
物理
工程类
二极管
电信
有机化学
冶金
量子力学
计算机科学
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Byoung Hee Moon; Gang Han; Hyun Kim; Heung Sik Choi; Jung Jun Bae; et al 出版日期：2017-03-20 |
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