| 标题 |
 Electron thermometry for Si MOS inversion layer using proximity nano-transistor and its application to Joule-heating experiment Si MOS反型层邻近纳米晶体管电子测温及其在焦耳加热实验中的应用
相关领域
焦耳加热
晶体管
材料科学
纳米-
反演（地质）
光电子学
图层（电子）
电子
硅
纳米技术
电气工程
复合材料
物理
电压
核物理学
地质学
工程类
古生物学
构造盆地
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Hossain Md Nayem; Masahiro Hori; Katsuhiko Nishiguchi; Yukinori Ono 出版日期：2025-02-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
GingerF
caigou
嘻嘻哈哈
潇洒的惋清
Rainyin
IvanMcRae
AllRightReserved
vetboy
互助
OK
HFH
无极微光
sanvva
张欢馨
loii
cocoli
Carrie
印第安老斑鸠
想起了拥抱
赘婿
皖公网安备34019202002308
