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标题
The effects of Si doping on dislocation movement and tensile stress in GaN films
Si掺杂对GaN薄膜中位错运动和拉伸应力的影响
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位错 材料科学 极限抗拉强度 兴奋剂 掺杂剂 压力（语言学） 杂质 限制 复合材料 凝聚态物理 光电子学 化学 哲学 工程类 物理 有机化学 机械工程 语言学
网址
https://doi.org/10.1063/1.3553841
DOI
10.1063/1.3553841 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：M. A. Moram; M. J. Kappers; Fabien Massabuau; Rachel A. Oliver; C. J. Humphreys
出版日期：2011-04-01
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甜美的秋尽 在 2025-01-08 18:25:05 发布自江西，悬赏 10 积分
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