Optimization of Epitaxial Structures on GaN-on-Si(111) HEMTs with Step-Graded AlGaN Buffer Layer and AlGaN Back Barrier

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标题	Optimization of Epitaxial Structures on GaN-on-Si(111) HEMTs with Step-Graded AlGaN Buffer Layer and AlGaN Back Barrier 具有阶梯状AlGaN缓冲层和AlGaN背势垒的GaN-on-Si（111）HEMT外延结构的优化相关领域缓冲器（光纤）材料科学光电子学图层（电子）外延阻挡层复合材料计算机科学电信
网址	https://www.mdpi.com/2079-6412/14/6/700/pdf?version=17173279...
DOI	10.3390/coatings14060700 doi
其它	期刊：Coatings 作者：Jeong-Gil Kim 出版日期：2024-06-02
求助人	紧张的怜寒在 2025-02-21 16:30:36 发布自广东，悬赏 10 积分
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