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Vertical Metal‐Oxide Electrochemical Memory for High‐Density Synaptic Array Based High‐Performance Neuromorphic Computing
基于高密度突触阵列的高性能神经形态计算垂直金属氧化物电化学存储器
相关领域
神经形态工程学
材料科学
突触重量
光电子学
CMOS芯片
电压
可扩展性
冯·诺依曼建筑
电子工程
并行计算
计算机科学
电气工程
人工神经网络
人工智能
工程类
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其它 |
期刊:Advanced electronic materials 作者:Hyunjoon Lee; Da Gil Ryu; Giho Lee; Min‐Kyu Song; Hyungjin Moon; et al 出版日期:2022-08-04 |
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