标题 |
The Impact of Interfacial Layers on the Thermal Boundary Resistance and Residual Stress in GaN on Si Epitaxial Layers
界面层对硅外延层GaN中边界热阻和残余应力的影响
相关领域
材料科学
光电子学
外延
氮化镓
宽禁带半导体
硅
热导率
残余应力
图层(电子)
兴奋剂
复合材料
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DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Luke Yates; Thomas L. Bougher; Thomas E. Beechem; Baratunde A. Cola; Samuel Graham 出版日期:2015-07-06 |
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