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 Cathodoluminescence Study of 3C-SiC Epilayers Grown on 4H-SiC Substrates 在4H-SiC衬底上生长的3C-SiC外延层的阴极发光研究
相关领域
阴极发光
材料科学
异质结
光电子学
固体物理学
碳化硅
高电子迁移率晶体管
晶体管
复合材料
凝聚态物理
电气工程
发光
物理
工程类
电压
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Jun Chen; Hiroyuki Sazawa; Wei Yi; Takashi Sekiguchi 出版日期：2023-03-16 |
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