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标题
Upgrading Electroresistive Memory from Binary to Ternary Through Single‐Atom Substitution in the Molecular Design
通过分子设计中的单原子取代将电阻存储器从二元升级到三元
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网址
https://doi.org/10.1002/asia.201601317
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1002/asia.201601317 doi
其它 期刊：Chemistry - An Asian Journal
作者：Xue‐Feng Cheng; Erbo Shi; Xianghui Hou; Shugang Xia; Jinghui He; et al
出版日期：2016-10-26
求助人
郭郭酱 在 2024-12-24 13:53:46 发布自天津，悬赏 10 积分
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