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 Enhancement of channel mobility in 4H-SiC trench MOSFET by inducing stress at SiO2/SiC gate interface SiO2/SiC栅界面应力增强4H-SiC沟槽MOSFET沟道迁移率
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Eiji Kagoshima; Wakana Takeuchi; Katsuhiro Kutsuki; Mitsuo Sakashita; Hirokazu Fujiwara; et al 出版日期：2022-03-02 |
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