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 Effect of the bottom electrode on the digital and analog resistive switching behavior of SiNx-based RRAM 底电极对SiNx基RRAM数字和模拟电阻开关行为的影响
相关领域
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材料科学
电阻随机存取存储器
氮化钛
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工作职能
氮化物
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工程类
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Mengyi Qian; Haixia Gao; Yiwei Duan; Jingshu Guo; Yifan Bai; et al 出版日期：2023-07-17 |
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