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 33.1 A 16nm 32Mb Embedded STT-MRAM with a 6ns Read-Access Time, a 1M-Cycle Write Endurance, 20-Year Retention at 150°C and MTJ-OTP Solutions for Magnetic Immunity 33.1 16nm 32MB嵌入式STT-MRAM，具有6ns读取访问时间、1M周期写入耐久性、150°C下保留20年以及用于磁抗扰度的MTJ-OTP解决方案
相关领域
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计算机科学
过程（计算）
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嵌入式系统
电气工程
汽车工程
计算机硬件
工程类
随机存取存储器
计算机安全
航空航天工程
操作系统
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期刊： 作者：Po-Hao Lee; Chia-Fu Lee; Yi-Chun Shih; Hon-Jarn Lin; Yen-An Chang; et al 出版日期：2023-02-19 |
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