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 Study on the Surface Structure of N-Doped 4H-SiC Homoepitaxial Layer Dependence on the Growth Temperature and C/Si Ratio Deposited by CVD CVD沉积N掺杂4H-SiC同质外延层表面结构对生长温度和C/Si比依赖性的研究
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期刊：Crystals 作者：Zhuorui Tang; Lin Gu; Hong-Ping Ma; Kefeng Dai; Qian Luo; et al 出版日期：2023-01-21 |
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