标题 |
A comparable study of defect diffusion and recombination in Si and GaN
Si和GaN中缺陷扩散和复合的比较研究
相关领域
半导体
扩散
材料科学
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消灭
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硅
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化学
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期刊:Journal of applied physics 作者:Xiang-Ru Han; Yang Li; Pei Li; Xiaolan Yan; Xiaoqiang Wu; et al 出版日期:2022-07-25 |
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