Free-Standing 3C-SiC P-Type Doping by Al Ion Implantation

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标题	Free-Standing 3C-SiC P-Type Doping by Al Ion Implantation 铝离子注入独立3C-SiC P型掺杂相关领域材料科学兴奋剂离子注入薄脆饼碳化硅退火（玻璃）光电子学电阻率和电导率制作硅纳米技术离子电气工程复合材料化学医学替代医学有机化学病理工程类
网址	https://doi.org/10.4028/p-q1ovxc
DOI	10.4028/p-q1ovxc doi
其它	期刊：Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena 作者：Mariaconcetta Canino; Frank Torregrosa; Marcin Zieliński; V. Boldrini; Camilla Bidini; et al 出版日期：2024-08-22
求助人	yuxin 在 2024-09-19 16:34:54 发布自北京，悬赏 30 积分
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