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 Effect of vacancy defects on anisotropic electronic transport behaviors of CoN4C2 based 2D devices: a first-principles study 空位缺陷对CoN4C2基2D器件各向异性电子输运行为影响的第一性原理研究
相关领域
空位缺陷
材料科学
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单层
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之字形的
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期刊：Nanotechnology 作者：Wenhao Yang; Tong Chen; Luzhen Xie; Yang Yu; Cheng Luo; et al 出版日期：2023-11-23 |
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