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 Ba2Ln1−xMn2Te5 (Ln = Pr, Gd, and Yb; x = Ln vacancy): syntheses, crystal structures, optical, resistivity, and electronic structure Ba2Ln1-xMn2Te5（Ln=Pr、Gd和Yb；x=Ln空位）：合成、晶体结构、光学、电阻率和电子结构
相关领域
空位缺陷
结晶学
电阻率和电导率
晶体结构
材料科学
X射线晶体学
化学
物理
衍射
量子力学
光学
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| 其它 |
期刊：Dalton Transactions 作者：Gopabandhu Panigrahi; Subhendu Jana; Mohd Ishtiyak; S. Narayanswamy; P.P. Bhattacharjee; et al 出版日期：2021-01-01 |
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dr.du
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