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 Theoretical investigation of the growth of GaAs on Si(001), Si(110), Si(111), Si(113) and Si(331) 在Si（001）、Si（110）、Si（111）、Si（113）和Si（331）上生长GaAs的理论研究
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期刊：Surfaces and interfaces 作者：Javier Alanis; S.J. Gutiérrez-Ojeda; R. Méndez-Camacho; E. Cruz‐Hernández 出版日期：2024-01-01 |
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