标题 |
In-situ fabrication of PtSe2/GaN heterojunction for self-powered deep ultraviolet photodetector with ultrahigh current on/off ratio and detectivity
超高电流通断比和探测率自供电深紫外光探测器用PtSe2/GaN异质结的原位制备
相关领域
响应度
异质结
材料科学
光电子学
光电探测器
紫外线
比探测率
光学
物理
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DOI | |
其它 |
期刊:Nano Research 作者:Ranran Zhuo; Longhui Zeng; Huiyu Yuan; Di Wu; Yuange Wang; et al 出版日期:2018-09-18 |
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