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 Vertical Leakage and Back-Gating Characteristics of GaN HEMTs Based on GaN/AlN Epitaxy on Off-Axis Conducting 4H-SiC 离轴导电4H-SiC上基于GaN/AlN外延的GaN HEMT的垂直泄漏和背栅特性
相关领域
材料科学
光电子学
外延
泄漏（经济）
宽禁带半导体
高电子迁移率晶体管
氮化镓
晶体管
电气工程
电压
复合材料
图层（电子）
工程类
经济
宏观经济学
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期刊： 作者：Zheyang Zheng; Hang Liao; Sirui Feng; Yingchen Yang; Yutao Geng; et al 出版日期：2024-06-02 |
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