Gate induced drain leakage in nanowire gate all around field effect transistors and methods to reduce GIDL

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标题	Gate induced drain leakage in nanowire gate all around field effect transistors and methods to reduce GIDL 纳米线栅极周围场效应晶体管中的栅极诱导漏极泄漏和降低GIDL的方法相关领域泄漏（经济）纳米线光电子学材料科学晶体管场效应晶体管逻辑门电气工程电压工程类经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0173846
DOI	10.1063/5.0173846 doi
其它	期刊：AIP conference proceedings 作者：Anhao Zhang 出版日期：2023-01-01
求助人	Et3rnity 在 2024-09-12 09:35:55 发布自安徽，悬赏 10 积分
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