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 A 1.01V 8.5Gb/s/pin 16Gb LPDDR5x SDRAM with Self-Pre-Emphasized Stacked-Tx, Supply Voltage Insensitive Rx, and Optimized Clock Using 4th-Generation 10nm DRAM Process for High-Speed and Low-Power Applications 1.01 V 8.5 Gb/s/引脚16Gb LPDDR5x SDRAM，具有自预加重堆叠Tx、电源电压不敏感Rx和优化时钟，采用第4代10nm DRAM工艺，适用于高速和低功耗应用
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期刊：2022 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC) 作者：Hyun-A Ahn; Yoo‐Chang Sung; Yong-Hun Kim; Janghoo Kim; Kihan Kim; et al 出版日期：2023-11-05 |
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