| 标题 |
 Effect of source–drain contact and channel length on the performance of vertical thin-film transistors 源漏接触和沟道长度对垂直薄膜晶体管性能的影响
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
排水诱导屏障降低
光电子学
晶体管
信道长度调制
接触电阻
阈值电压
泄漏（经济）
电极
平面的
阈下传导
频道（广播）
电气工程
电压
纳米技术
图层（电子）
化学
计算机科学
工程类
计算机图形学（图像）
物理化学
经济
宏观经济学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：AIP Advances 作者：Xuemei Yin; Delang Lin; Yan Yu-pei; Yi Li; Weimin Ma 出版日期：2023-10-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
乐乐乐乐乐乐
shinysparrow
嗯哼
YifanWang
带头大哥
鬼见愁
寻道图强
Singularity
穆紫
大模型
morena
SciGPT
细心的语蓉
xiaochou
illscience
Cz志生
平常的过客
#include
Puan
贰鸟
皖公网安备34019202002308
