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 Dopant Segregation at the Solid–Liquid Interface in the Single Crystal Growth of β-Ga2O3 by an Edge-Defined Film-Fed Growth Method 用边缘限定薄膜生长法生长β-Ga2O3单晶的固液界面掺杂偏析
相关领域
掺杂剂
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期刊：Crystal Growth & Design 作者：Jin Zhang; Shaohua Chen; Yiyuan Liu; Xuyang Dong; Boyang Chen; et al 出版日期：2024-12-23 |
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