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 Role of Ga2O3–In2O3–ZnO channel composition on the electrical performance of thin-film transistors Ga2O3-In2O3-ZnO沟道成分对薄膜晶体管电学性能的影响
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期刊：Materials Chemistry and Physics 作者：Antonis Olziersky; Pedro Barquinha; Anna Vilà; Carlos Magaña; Elvira Fortunato; et al 出版日期：2011-11-08 |
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