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Influence of oxygen vacancies in ALD HfO2-x thin films on non-volatile resistive switching phenomena with a Ti/HfO2-x/Pt structure
ALD HfO2-x薄膜中氧空位对Ti/HfO2-x/Pt结构非易失性电阻开关现象的影响
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期刊:Applied Surface Science 作者:A.S. Sokolov; Yu-Rim Jeon; Sohyeon Kim; Bon‐Cheol Ku; Dong-Hwan Lim; et al 出版日期:2017-11-06 |
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