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 Highly selective Si3N4/SiO2 etching using an NF3/N2/O2/H2 remote plasma. II. Surface reaction mechanism 使用NF3/N2/O2/H2远程等离子体的高选择性Si3N4/SiO2蚀刻。二。表面反应机理
相关领域
蚀刻（微加工）
选择性
氮化硅
等离子体
激发态
分子
化学
硅
等离子体刻蚀
制作
半导体
分析化学（期刊）
材料科学
纳米技术
光电子学
原子物理学
催化作用
图层（电子）
有机化学
病理
替代医学
物理
医学
量子力学
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| 其它 |
期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Ji-Eun Jung; Yuri Barsukov; Vladimir Volynets; Gonjun Kim; Sang Ki Nam; et al 出版日期：2020-01-29 |
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