Evaluation of Reliability and Lifetime of 650-V GaN-on-Si Power Devices Fabricated on 200-mm CMOS-Compatible Process Platform for High-Density Power Converter Application

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标题	Evaluation of Reliability and Lifetime of 650-V GaN-on-Si Power Devices Fabricated on 200-mm CMOS-Compatible Process Platform for High-Density Power Converter Application 在200-mm CMOS兼容工艺平台上制造的用于高密度功率转换器应用的650-V GaN-on-Si功率器件的可靠性和寿命评估相关领域高电子迁移率晶体管可靠性（半导体）材料科学氮化镓功率（物理）薄脆饼光电子学电气工程计算机科学拓扑（电路）物理纳米技术图层（电子）工程类晶体管量子力学电压
网址	https://doi.org/10.1109/ispsd49238.2022.9813684
DOI	10.1109/ispsd49238.2022.9813684 doi
其它	期刊：作者：Shan Yin; Yiming Lin; Ronghui Hao; Shoudong Jin; Chuan He; et al 出版日期：2022-05-22
求助人	小菜鸟在 2024-09-15 15:08:08 发布自广东，悬赏 10 积分
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