Nanowatt use 8 V switching nonvolatile memory transistors with 2D MoTe2 channel and ferroelectric P(VDF-TrFE)

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标题	Nanowatt use 8 V switching nonvolatile memory transistors with 2D MoTe2 channel and ferroelectric P(VDF-TrFE) 纳瓦级使用具有2D MoTe2沟道和铁电P（VDF-TrFE）的8 V开关非易失性存储器晶体管相关领域材料科学非易失性存储器光电子学铁电性晶体管欧姆接触电压二极管阈值电压切换时间电气工程纳米技术图层（电子）电介质工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.105686
DOI	10.1016/j.nanoen.2020.105686 doi
其它	期刊：Nano energy 作者：Yongjae Cho; Hyunmin Cho; Sungjae Hong; Donghee Kang; Yeonjin Yi; et al 出版日期：2021-03-01
求助人	称心山柏在 2024-06-16 18:31:37 发布自上海，悬赏 10 积分
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