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 Investigation of Endurance Characteristics in 3-D NAND Flash Memory With Trap Profile Analysis 用陷阱剖面分析研究三维NAND闪存的耐久性
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期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Hyungjun Jo; Jongwoo Kim; Yonggyu Cho; Hyunyoung Shim; Jae-Yoon Sim; et al 出版日期：2024-03-01 |
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