Ionization-induced annealing of defects in 3C–SiC: Ion channeling and positron annihilation spectroscopy investigations

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标题	Ionization-induced annealing of defects in 3C–SiC: Ion channeling and positron annihilation spectroscopy investigations 3C-SiC缺陷的电离诱导退火：离子沟道和正电子湮没谱研究相关领域材料科学辐照离子原子物理学退火（玻璃）电离卢瑟福背散射光谱法光谱学离子束正电子正电子湮没谱学无定形固体电子正电子湮没核物理学物理化学纳米技术结晶学薄膜量子力学复合材料
网址	https://doi.org/10.1557/s43578-023-00894-1
DOI	10.1557/s43578-023-00894-1 doi
其它	期刊：Journal of materials research/Pratt's guide to venture capital sources 作者：N. Sreelakshmi; G.R. Umapathy; S. Abhaya; C. David; Sunil Ojha; et al 出版日期：2023-01-12
求助人	冷酷伊在 2024-06-04 00:08:28 发布自陕西，悬赏 10 积分
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