Structure and RF performance evolution of polycrystalline silicon charge capture layer for advanced RF-SOI in in-situ annealing process

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标题	Structure and RF performance evolution of polycrystalline silicon charge capture layer for advanced RF-SOI in in-situ annealing process 原位退火工艺中先进RF-SOI多晶硅电荷俘获层的结构和射频性能演变相关领域材料科学绝缘体上的硅多晶硅退火（玻璃）光电子学原位微晶硅图层（电子）工程物理纳米技术复合材料冶金薄膜晶体管工程类物理气象学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108330
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108330 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Rongwang Dai; Yun Liu; Jingjun Ding; Chenyu Shi; Ziwen Wang; et al 出版日期：2024-07-01
求助人	车车在 2024-09-12 13:33:13 发布自陕西，悬赏 10 积分
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