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标题
Self-Heating in Gate-All-Around Vertical III-V InAs/InGaAs MOSFETs
栅极全垂直III-V InAs/InGaAs MOSFET中的自加热
相关领域
跨导 材料科学 电容 电导 热阻 光电子学 MOSFET 晶体管 时间常数 纳米线 热的 砷化镓 阈下斜率 分析化学（期刊） 凝聚态物理 电气工程 物理 化学 热力学 电压 电极 工程类 量子力学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1109/led.2023.3273785
DOI
10.1109/led.2023.3273785 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Gautham Rangasamy; Mamidala Saketh Ram; Lars Ohlsson; Lars‐Erik Wernersson
出版日期：2023-07-01
求助人
李沐唅 在 2024-09-13 00:47:02 发布自贵州，悬赏 10 积分
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