标题 |
Optical activation of implanted lanthanoid ions in aluminum nitride semiconductors by high temperature annealing
氮化铝半导体中注入镧系离子的高温退火光学活化
相关领域
材料科学
退火(玻璃)
镧系元素
离子
氮化物
半导体
光电子学
离子注入
铝
纳米技术
冶金
物理
图层(电子)
量子力学
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DOI | |
其它 |
期刊:Optical Materials Express 作者:Shin-ichiro Sato; Kanako Shojiki; Kenzo Yoshida; Hideaki Minagawa; Hideto Miyake 出版日期:2024-01-02 |
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