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High-Performance Ultraviolet Photodetector Arrays Based on Recessed-Gate HEMT with a Buried p-GaN Layer
基于埋藏p-GaN层凹栅HEMT的高性能紫外光探测器阵列
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电探测器
光电子学
紫外线
材料科学
图层(电子)
晶体管
电气工程
纳米技术
工程类
电压
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期刊:ACS applied electronic materials 作者:Chuankai Liu; Yu Wang; Hangzan Liu; Hao Qian; Lixiang Han; et al 出版日期:2024-02-02 |
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