Minimizing Output Capacitance Loss in GaN Power HEMT

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标题	Minimizing Output Capacitance Loss in GaN Power HEMT GaN功率HEMT中输出电容损耗的最小化相关领域高电子迁移率晶体管电容基质（水族馆）晶体管光电子学拓扑（电路）物理材料科学计算机科学电气工程工程类电极量子力学电压生物生态学
网址	https://doi.org/10.1109/tpel.2024.3399237
DOI	10.1109/tpel.2024.3399237 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Qihao Song; Adam Briga; Valery Veprinsky; R. V. Volkov; Qiang Li; et al 出版日期：2024-05-10
求助人	liuchuck 在 2024-10-30 17:21:27 发布自湖南，悬赏 10 积分
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