标题 |
Effects of Ag nano-islands and Al2O3 layer on the performance of HfO2-Based threshold switching devices
Ag纳米岛和Al2O3层对HfO2基阈值开关器件性能的影响
相关领域
材料科学
纳米-
图层(电子)
光电子学
纳米技术
工程物理
复合材料
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Ting Jiang; Yichuan Zhang; Yu Wang; Fanlin Long; Chunwei Huang; et al 出版日期:2024-12-25 |
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