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A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta2O5−x/TaO2−x bilayer structures
一种由非对称Ta2O5−x/TaO2−x双层结构制成的快速、高耐久性和可扩展的非易失性存储器件
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期刊:Nature Materials 作者:Myoung-Jae Lee; Chang Bum Lee; Dongsoo Lee; Seung Ryul Lee; Man Chang; et al 出版日期:2011-07-11 |
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